GB/T 42709.29-2026 半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法

标准编号：GB/T 42709.29-2026

标准名称：半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法

英文名称：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 29: Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin films under room temperature

发布日期：2026-08-28

实施日期：2027-03-01

起草人

朱晓荣、姜利军、张传杰、唐国良、池积光、钱良山、马志刚、李春来、陈勇国、肖克来提、康永印、潘峰、刘若冰、焦斌斌、刘海涛、刘翔、钱剑、刘世界、罗雯雯、陈亮、李方浩

起草单位

浙江大立科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、国科大杭州高等研究院、工业和信息化部电子第五研究所、中国计量大学、杭州大立微电子有限公司、浙江拓感科技有限公司、中国科学院微电子研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、复旦大学义乌研究院

适用范围

本文件描述了一种松弛试验方法,该方法用于测试微电子机械器件（MEMS）的悬空导电薄膜在恒定应变和室温条件下的机电性能。悬空导电薄膜在MEMS、光电子学、柔性/可穿戴电子产品中有着广泛的应用。悬空薄膜在产品工况中会受到外部和内部的应力作用，即使在室温下，工作一段时间后也可能发生应力松弛，这种松弛会导致产品的电性能随时间而变化。

本文件适用于采用各向同性、均质或线性黏弹性材料制备的悬空导电薄膜。