GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

标准编号：GB/T 17170-2015

代替了下列标准：GB/T 17170-1997

标准名称：半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

英文名称：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

发布日期：2015-12-10

实施日期：2016-07-01

起草人

何秀坤、李静、张雪囡

信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子材料行业协会、天津市环欧半导体材料技术有限公司

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10^6 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。