GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

标准编号：GB/T 30867-2014

标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

发布日期：2014-07-24

实施日期：2015-02-01

起草人

丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

适用范围

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm～1mm的碳化硅单晶片。