GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范

标准编号：GB/T 15877-2013

代替了下列标准：GB/T 15877-1995

标准名称：半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范

英文名称：Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching

发布日期：2013-12-31

实施日期：2014-08-15

起草人

任忠平、尹国钦

起草单位

宁波东盛集成电路元件有限公司

适用范围

本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求和试验方法及检验规则。

本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列（DIP）封装引线框架（镀金及镀银），单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。