GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

标准编号：GB/T 6617-2009

代替了下列标准：GB/T 6617-1995

标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

英文名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

起草人

马林宝、骆红、吕立平、刘培东、谭卫东

起草单位

南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司

适用范围

u3000u3000本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 u3000u3000本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10 Ωcm～10 Ω·cm。