GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

标准编号：GB/T 14146-2009

代替了下列标准：GB/T 14146-1993

标准名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

起草人

马林宝、唐有青、金龙、吕立平、刘培东、李静

起草单位

南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、宁波立立电子股份有限公司

适用范围

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。 u3000u3000本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。