GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

标准编号：GB/T 45716-2025

标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

英文名称：Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

发布日期：2025-05-30

实施日期：2025-09-01

起草人

恩云飞、高汭、柴智、林晓玲、高金环、任鹏鹏、陈磊、冉红雷、章晓文、来萍、陈义强、周圣泽、都安彦、李伟聪

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、上海交通大学、厦门芯阳科技股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、中科院微电子所、深圳市威兆半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所

适用范围

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。