SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范

标准编号：SJ/T 11849-2022

标准名称：半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范

英文名称：Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG3500 and 3DG3501

发布日期：2022-10-20

实施日期：2023-01-01

起草人

赵玉玲、闫美存、吕瑞芹、崔莹莹、王立康、宋凤领、赵昕、高盼红、朱伟娜

起草单位

石家庄天林石无二电子右盟癸司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所

适用范围

本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求。