GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

标准编号：GB/T 41765-2022

标准名称：碳化硅单晶位错密度的测试方法

英文名称：Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

发布日期：2022-10-14

实施日期：2023-05-01

起草人

彭同华、佘宗静、赵宁、王波、李素青、娄艳芳、王大军、郭钰、杨建

北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。

本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。