GB/T 48164.1-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法

标准编号：GB/T 48164.1-2026

标准名称：半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法

英文名称：Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability

发布日期：2026-08-28

实施日期：2027-03-01

起草人

陈媛、陈兴欢、施宜军、来萍、罗海辉、路国光、魏家行、谭永亮、曹琳、陈敏、张园览、何健锋、闫志峰、席善斌、刘宇、黄洪钟、张新玲、高伟、骆健、朱郑允、孙明光、刘伟伟、陈义强、何亮、彭超、张国斌、赵鹏、孙伟峰、吴帆正树、夏焕春、姚尧、苏日丽、王舶男、张家祺、王珩宇、郭清、丁雄杰、杨玉聪、王振、罗望春、李伟聪、马利奇、杨国江、吴孝严

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、株洲中车时代半导体股份有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学、河北北芯半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、南京南瑞半导体有限公司、江苏应能微电子股份有限公司、上海贝岭股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、东南大学、清纯半导体（宁波）有限公司、龙腾半导体股份有限公司、河北博威集成电路有限公司、电子科技大学、TCL环鑫半导体（天津）有限公司、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院、深圳市威兆半导体股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司

适用范围

本文件描述了在高温下施加连续栅极-源极正电压应力后，在室温下评估SiC MOSFET的阈值电压漂移的试验方法。该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间（最长可达10 h），以此接受一定程度的阈值电压恢复现象。