GB/T 48164.2-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法

标准编号：GB/T 48164.2-2026

标准名称：半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法

英文名称：Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operatio

发布日期：2026-08-28

实施日期：2027-03-01

起草人

陈媛、路国光、韦覃如、何亮、邵伟恒、陈万军、邓二平、陈义强、金锐、修德琦、梁世维、李瑞莲、姚尧、卢啸、黄土地、丁雄杰、智晶、李飞、王若冰、邓华鲜、胡久恒、陈兴欢、来萍、侯波、刘陆川、施宜军、万玉喜、王俊、张国斌、崔潆心、陈中圆、孙博韬、罗海辉、郭跃伟、高伟、敖松泉、陈澄、马林东、吴海文、张丙可、吴一帆

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室、湖南大学、北京智慧能源研究院、山东大学、河北博威集成电路有限公司、广东天域半导体股份有限公司、西安卫光科技有限公司、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心、上海贝岭股份有限公司、电子科技大学、合肥工业大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、清纯半导体（宁波）有限公司、株洲中车时代半导体股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、江苏环鑫半导体有限公司、上海航天技术基础研究所、乐山希尔电子股份有限公司、杭州高坤电子科技股份有限公司

适用范围

本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC（silicon carbide）功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。

硅功率晶体管通常不要求进行此试验。