GB/T 42709.8-2026 半导体器件微电子机械器件第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法

标准编号：GB/T 42709.8-2026

标准名称：半导体器件微电子机械器件第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法

英文名称：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films

发布日期：2026-07-30

实施日期：2027-02-01

起草人

钱良山、刘若冰、刘翔、李春来、朱晓荣、潘峰、马志刚、钱剑、唐国良、张传杰、李方浩、罗雯雯、姜利军、范延军、焦斌斌、肖克来提、池积光、刘海涛、陈勇国、刘世界、康永印、陈亮

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本文件描述了用于测量带状薄膜拉伸特性的弯曲试验方法，与常规拉伸测试相比，该方法操作难度适中，具有精度高和可重复的优点。本方法适用于厚度在50 nm到几微米（μm）之间，且长度和厚度的比值大于300的试样。

在微机电系统(MEMS)中，两个固定支点之间的悬空带状薄膜（或梁）被广泛采用。与制造传统的拉伸试样相比，制造这种带状薄膜样品比较容易，且测试过程简单，很容易实现自动化。本文件能用于MEMS生产过程中的质量控制测试，与传统拉伸测试相比，其测试效率更高。