GB/T 42709.36-2026 半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法

标准编号：GB/T 42709.36-2026

标准名称：半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法

英文名称：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 36: Environmental and dielectric withstand test methods for MEMS piezoelectric thin films

发布日期：2026-07-30

实施日期：2027-02-01

起草人

黄钦文、刘若冰、周斌、焦斌斌、董显山、韦覃如、何春华、路国光、苏伟、涂程、黄鑫龙

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、广东工业大学、电子科技大学、中国电子技术标准化研究院、中国科学院微电子研究所

适用范围

本文件描述了评估MEMS压电薄膜材料在温度、湿度环境应力和电应力条件下的耐受试验方法，以及进行质量评估的试验条件,即规定了在温度、湿度和外加电压条件下评价试验器件耐久性的试验方法和试验条件。主要应用于硅基上形成的压电薄膜（即用作执行器的压电薄膜）的逆压电性能的评价。

本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。