GB/T 4937.29-2025 半导体器件机械和气候试验方法第29部分：闩锁试验

标准编号：GB/T 4937.29-2025

标准名称：半导体器件机械和气候试验方法第29部分：闩锁试验

英文名称：Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 29: Latch-up test

发布日期：2025-12-02

实施日期：2026-07-01

起草人

来萍、肖庆中、周圣泽、路国光、徐平江、单书珊、李明钢、邓海峰、师谦、恩云飞、赖灿雄、赵东艳、高斌、汪良恩

工业和信息化部电子第五研究所、广州七喜智能设备有限公司、深圳市金誉半导体股份有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、安徽安芯电子科技股份有限公司、山东省中智科标准化研究院有限公司

本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。

本试验是破坏性试验。

本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。

本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。

闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。