GB/T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法

标准编号：GB/T 40109-2021

标准名称：表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法

英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon

发布日期：2021-05-21

实施日期：2021-12-01

起草人

马农农、何友琴、王东雪、李展平、陈潇、张鑫

中国电子科技集团公司第四十六研究所

本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。

本文件适用于硼原子浓度范围1 × 10¹⁶atoms/cm³~1×10²⁰atoms/cm³的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50nm及以上。