SJ/T 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳

标准编号：SJ/T 11972-2025

标准名称：压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳

英文名称：Flat plate ceramic housing for press-pack insulated gate bipolar transistors(IGBT)

发布日期：2025-05-09

实施日期：2025-08-01

起草人

陈国贤、徐宏伟、陈强、张琼、罗海辉、余晓初、金锐、刘国友、李凌飞、朱文辉、田媛、朱阳军、吴磊、张金平、毛国锋、王晓宝

起草单位

江阴市赛英电子股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、无锡天杨电子有限公司、全球能源互联网研究院、株洲中车时代半导体有限公司、南方电网科学研究院有限责任公司、西安卫光科技有限公司、中南大学、南京新长征科技有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司、西安中车永电电气有限责任公司、电子科技大学、嘉兴斯达半导体股份有限公司、江苏宏微科技股份有限公司

适用范围

本文件规定了压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳的术语和定义、产品类别、要求、出厂检验和型式试验、试验方法、标识包装运输贮存和产品质量证明等要求。

本文件适用于压接式绝缘棚双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳（以下简称管壳），