GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法

标准编号：GB/T 32495-2016

标准名称：表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法

英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

发布日期：2016-02-24

实施日期：2017-01-01

起草人

马农农、陈潇、何友琴、王东雪

中国电子科技集团公司第四十六研究所

本标准中，详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50nm及以上。