GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

标准编号：GB/T 26066-2010

标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

英文名称：practice for shallow etch pit detection on silicon

发布日期：2011-01-10

实施日期：2011-10-01

起草人

田素霞、张静雯、王文卫、周涛

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

适用范围

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。