GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

标准编号：GB/T 14847-2010

代替了下列标准：GB/T 14847-1993

标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

英文名称：Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

发布日期：2011-01-10

实施日期：2011-10-01

起草人

李慎重、何良恩、何秀坤、许峰、刘培东

宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。