GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

标准编号：GB/T 6616-2009

代替了下列标准：GB/T 6616-1995

标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

英文名称：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

起草人

楼春兰、朱兴萍、戴文仙、方强、汪新平

起草单位

万向硅峰电子股份有限公司

适用范围

u3000u3000本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 u3000u3000本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。