GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

标准编号：GB/T 1553-2009

代替了下列标准：GB/T 1553-1997

标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

英文名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

起草人

江莉、杨旭

起草单位

峨嵋半导体材料厂

适用范围

u3000u30001.1 本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。