T/CASAS 005-2025 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法

标准编号：T/CASAS 005-2025

标准名称：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法

英文名称：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT):multi-pulse hard-switching technique

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

起草人

贺致远、何亮、王成财、田飞飞、吴金刚、吴毅锋、李胜、银杉、吴新科、董泽政、施宜军、陈媛、路国光、陈兴欢、刘远、周泉斌、刘惠鹏、刘斯扬、李凯、陈希辰、刘庆源、黄火林、李祥东、刘雯、闫大为、王茂俊、王来利、王小明、朱廷刚、王琦、曾威、李瑞莲、袁海龙、张旭、高伟

起草单位

广东工业大学、工业和信息化部电子第五研究所、江苏第三代半导体研究院有限公司、佛山市联动科技股份有限公司、英诺赛科（珠海）科技有限公司、珠海镓未来科技有限公司、华为技术有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、东南大学、浙江大学、大连理工大学、西安电子科技大学、西交利物浦大学、江南大学、北京大学、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏能华微电子科技发展有限公司、北京大学东莞光电研究院、佛山市国星光电股份有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

适用范围

本文件描述了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法，包括原理、测试条件、测试程序、数据记录和处理、试验报告等。

本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。