T/CASAS 033-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率器件开关动态测试方法

标准编号：T/CASAS 033-2025

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率器件开关动态测试方法

英文名称：Switching dynamic test method for SiC MOSFET power device

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

起草人

曾正、孙鹏、孙文涛、袁伟、张文嘉、吴倩、蔡晖、潘效飞、牛富丽、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、李永福、张兴杰、王来利、吴新科、林氦、赵爽、李俊焘、谢峰、张太之、孙川、佘超群、陈媛、陈刚、王晓萍、袁俊、吴畅、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、李汝冠、黄海涛、杜凯、刘志强、宋鑫宇、李本亮、高伟

起草单位

重庆大学、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院、华润润安科技有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、杭州飞仕得科技有限公司、合肥功立德半导体科技有限公司、是德科技（中国）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、国网重庆市电力公司电力科学研究院、深圳麦科信科技有限公司、西安交通大学、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、合肥工业大学、中国工程物理研究院电子工程所、深圳市禾望电气股份有限公司、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、泰克科技（中国）有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、中国电力科学研究院有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、东风汽车集团有限公司、智新半导体有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市新凯来技术有限公司、一汽旗新动力(长春)科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

适用范围

本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。

本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。