GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

标准编号:GB/T 1557-2006

代替了下列标准:GB 1557-1983、GB/T 1557-1989、GB/T 14143-1993

标准名称:硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

英文名称:The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

发布日期:2006-07-18

实施日期:2006-11-01

起草人

梁洪、覃锐兵、王炎

起草单位

峨眉半导体材料厂

适用范围

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω?cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω?cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10的16次方at/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。

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