GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

标准编号：GB/T 8760-2006

代替了下列标准：GB/T 8760-1988

标准名称：砷化镓单晶位错密度的测量方法

英文名称：Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density

发布日期：2006-07-18

实施日期：2006-11-01

起草人

王彤涵

起草单位

北京有色金属研究总院

适用范围

本标准适用于位错密度为（0～1000000）个/cm<上标2>的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。