GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

标准编号：GB/T 4326-2006

代替了下列标准：GB/T 4326-1984

标准名称：非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

英文名称：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

发布日期：2006-07-18

实施日期：2006-11-01

起草人

王彤涵

起草单位

北京有色金属研究总院

适用范围

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法业可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10的4次方Ω?cm 半导体单晶材料的测试。