GB/T 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法

标准编号：GB/T 14847-2025

代替了下列标准：GB/T 14847-2010

标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法

英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method

发布日期：2025-10-31

实施日期：2026-05-01

起草人

李慎重、张海英、梁兴勃、蒋玉龙、张宏浩、马林宝、贺东江、赵跃、庄育军、韩云霄、李素青、许峰、葛华、李明达、马向阳、刘丽娟、方伟宇、李云鹏、雷浩东、袁文战

起草单位

浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江大学、布鲁克（北京）科技有限公司、赛默飞世尔科技（中国）有限公司、青海沅平新能源科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、西安龙威半导体有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司

适用范围

本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。

本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。