GB/T 46717-2025 半导体器件金属化空洞应力试验

标准编号：GB/T 46717-2025

标准名称：半导体器件金属化空洞应力试验

英文名称：Semiconductor devices—Metallization stress void test

发布日期：2025-10-31

实施日期：2026-05-01

起草人

裴选、席善斌、卫云、高东阳、赵昱、柯佳键、龙秀才、程志勇、李潇龙、曲佳健、杨俊锋、侯继儒、尹丽晶、吴亚光、任怀龙、肖庆中、曲韩宾、高博、赵妍婷

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本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。

本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。