IEC 62880-1:2017 半导体器件 - 应力迁移测试标准 - 第1部分 - 铜应力迁移测试标准

标准编号：IEC 62880-1:2017

中文名称：半导体器件 - 应力迁移测试标准 - 第1部分 - 铜应力迁移测试标准

英文名称：Semiconductor devices - Stress migration test standard - Part 1: Copper stress migration test standard

发布日期：2017-08-23

标准范围

IEC？62880-1:2017（E）描述了一种恒温（等温）老化方法，用于测试微电子晶片上铜（Cu）金属化测试结构对应力诱导空洞（SIV）的敏感性。该方法主要在技术开发期间的晶圆生产层面上进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些条件下，该方法可以应用于封装级测试。由于测试时间较长，此方法不用于检查装运的生产批次。

IEC？62880-1:2017(E) describes a constant temperature (isothermal) aging method for testing copper (Cu) metallization test structures on microelectronics wafers for susceptibility to stress-induced voiding (SIV). This method is to be conducted primarily at the wafer level of production during technology development, and the results are to be used for lifetime prediction and failure analysis. Under some conditions, the method can be applied to package-level testing. This method is not intended to check production lots for shipment, because of the long test time.

标准预览图