IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

标准编号：IEC 62373-1:2020

中文名称：半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

英文名称：Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

发布日期：2020-07-15

标准范围

IEC 62373-1:20 20提供了硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的快速BTI（偏置温度不稳定性）测试的测量程序。本文件还定义了与常规BTI测试方法相关的术语。

IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs).
This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method.

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