ISO 12406:2010 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度分布分析法
标准编号：ISO 12406:2010
中文名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度分布分析法
英文名称：Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
发布日期：2010-11
标准范围
ISO 12406:2010规定了二次离子质谱方法，使用磁扇形或四极质谱仪对硅中的砷进行深度剖析，并使用触针轮廓术或光学干涉法进行深度校准。该方法适用于砷原子浓度在1 × 1016原子/cm3和2.5 × 1021原子/cm3之间的单晶、多晶或非晶硅样品，以及50 nm或更深的坑深度。
ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
标准预览图
