GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

标准编号：GB/T 11297.6-1989

标准名称：锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

英文名称：Standard method for showing andmeasuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal

发布日期：1989-03-31

实施日期：1990-01-01

起草单位

电子十一所

适用范围

本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锑化铟原始晶片（111）铟面a位错的显示和测定。测量面偏离（111）面应不大于3°。